来源：TrendForce集邦

根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。

TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响，但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。

通货膨胀和利率攀升等因素冲击消费者支出意愿，间接导致消费类存储器模组的出货量下降。此外，NAND Flash wafer（晶圆）价格持续上涨，使得模组厂的营运成本大幅增加。然而，由于终端产品价格必须保持吸引力以刺激消费需求，模组厂无法反映增加的成本，利润空间进一步被压缩。

TrendForce集邦咨询指出，目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现，即使渗透率因平台商推广而有所提高，也难以带起全面换机潮，因此无法带动DRAM价格。

从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。