英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）于12月18日至12月23日期间正式启动公开招股。此次招股，英诺赛科拟全球发行4536.4万股H股，其中香港公开发售约占10%，国际发售占比90%。此外，公司另有15%的超额配股权。每股发售股份的最高定价为33.66港元，每手交易包含100股，预计H股将于12月30日正式上市，中金公司及招银国际共同担任联席保荐人。

英诺赛科计划将招股所得款项的约60%用于扩大其8英寸氮化镓晶圆的产能，包括购买和升级生产设备及机器，以及招聘更多生产人员。另外20%的资金将投入研发领域，旨在扩大产品组合，以提升氮化镓产品在终端市场的渗透率。约10%的资金将用于扩大氮化镓产品的全球分销网络，其余10%则用于营运资金及其他一般企业用途。

氮化镓作为第三代半导体的代表性材料，凭借在高频、耐高压、抗辐射以及高电子迁移率等方面的优势，在消费电子、新能源汽车、可再生能源及数据中心等下游市场展现出巨大的应用潜力。据弗若斯特沙利文的数据显示，2023年标志着氮化镓功率半导体产业进入指数级增长的元年，市场将迎来快速增长。预计到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到人民币501亿元，在全球功率半导体市场的市占率将提升至10.1%，并占据全球功率半导体分立器件市场的24.9%，为业内企业提供了前所未有的发展机遇。

英诺赛科作为全球领先的氮化镓厂商，拥有两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。公司专注于硅基氮化镓外延与器件的研发与制造，是全球功率半导体行业革命的引领者，也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的IDM企业。从2021年至2023年，英诺赛科的收入复合年增长率高达194.8%。

根据弗若斯特沙利文的数据，以折算氮化镓分立器件收益计算，截至2023年末，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中的市场份额高达33.7%，位居第一。截至2024年6月30日，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆良率已超过95%，并突破了每月12,500片晶圆的生产瓶颈，氮化镓分立器件累计出货量已超过8.5亿颗，市场份额遥遥领先，彰显了其在氮化镓领域的龙头地位。

展望未来，随着全球氮化镓功率半导体市场的迅速增长，英诺赛科将借助此次赴港上市的契机，进一步提升国际知名度与影响力。在资本市场的有力支持下，公司将继续深化全球布局，加速技术迭代，扩大产能规模，强化产品组合，以更加优质的产品和服务满足客户需求。英诺赛科将矢志不渝地引领氮化镓行业的高质量发展，为第三代半导体时代的发展贡献力量，开创更加辉煌的未来。